MBT35200MT2G和SNSS35200MR6T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT35200MT2G SNSS35200MR6T1G NSS35200MR6T1G

描述 TSOP PNP 35V 2ATSOP PNP 35V 2A35 V , 5 A ,低VCE ( sat)的PNP晶体管 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

引脚数 - 6 6

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 35 V 35 V 35 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1.5A, 1.5V 100 @1.5A, 1.5V 100 @1.5A, 1.5V

最大电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 1.5V - 400

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

频率 - - 100 MHz

额定电压(DC) - - -35.0 V

额定电流 - - -2.00 A

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

耗散功率 - - 1 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 1000 mW

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

宽度 - - 1.5 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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