MBT35200MT2G和NSS35200MR6T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT35200MT2G NSS35200MR6T1G SNSS35200MR6T1G

描述 TSOP PNP 35V 2A35 V , 5 A ,低VCE ( sat)的PNP晶体管 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP TransistorTSOP PNP 35V 2A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 35 V 35 V 35 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1.5A, 1.5V 100 @1.5A, 1.5V 100 @1.5A, 1.5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 625 mW

最大电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 1.5V 400 -

频率 - 100 MHz -

额定电压(DC) - -35.0 V -

额定电流 - -2.00 A -

耗散功率 - 1 W -

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

宽度 - 1.5 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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