对比图
型号 MPSW51A MPSW51AG MPSW51ARLRPG
描述 一瓦高电流晶体管（ PNP硅） One Watt High Current Transistors(PNP Silicon)ON SEMICONDUCTOR MPSW51AG 射频双极晶体管一瓦高电流晶体管 One Watt High Current Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V
额定电流 -1.00 A -1.00 A -1.00 A
极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel
耗散功率 1 W 1 W 1 W
增益频宽积 50 MHz - 50 MHz
集电极击穿电压 -50.0 V (min) - -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V
额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
频率 - 50 MHz 50 MHz
集电极最大允许电流 - 1A 1A
耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW
针脚数 - 3 -
热阻 - 50℃/W (RθJC) -
直流电流增益(hFE) - 50 -
长度 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm
宽度 4.19 mm - 4.19 mm
高度 7.87 mm 7.87 mm 7.87 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Box Tape
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99