MUN5137DW1T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN5137DW1T1概述

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

MUN5137DW1T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MUN5137DW1T1

型号： MUN5137DW1T1

描述：双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

替代型号MUN5137DW1T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MUN5137DW1T1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MUN5114DW1T1G 安森美	功能相似	MUN5137DW1T1和MUN5114DW1T1G的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MUN5137DW1T1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

MUN5114DW1T1G

安森美

功能相似