MUN5114DW1T1G和MUN5137DW1T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5114DW1T1G MUN5137DW1T1 DDA114YU-7

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors特点•PNP预偏置小信号SOT-363双表面装载晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SC-70-6 TSSOP-6 SOT-363-6

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 0.385 W - 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 68 @10mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 385 mW - 200 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 600

增益带宽 - - 250 MHz

封装 SC-70-6 TSSOP-6 SOT-363-6

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -

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