MWI25-12A7

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MWI25-12A7概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin E2-Pack

IGBT 模块 NPT 三相反相器 1200 V 50 A 225 W 底座安装 E2


得捷:
IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 50A 24-Pin E2-Pack


MWI25-12A7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 225000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1.65nF @25V

额定功率Max 225 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 225000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 24

封装 E2-Pack

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E2-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI25-12A7
型号: MWI25-12A7
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin E2-Pack
替代型号MWI25-12A7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MWI25-12A7

IXYS Semiconductor

当前型号

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BSM35GD120DN2

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