MJ21196

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MJ21196概述

硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 250 WATTS

MJ21195 − PNP

− NPN

The MJ21195 and MJ21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

Features

•Total Harmonic Distortion Characterized

•High DC Current Gain − hFE= 25 Min @ IC= 8 Adc

•Excellent Gain Linearity

•High SOA: 3 A, 80 V, 1 Sec

•Pb−Free Packages are Available
.
MJ21196中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 16.0 A

极性 NPN

耗散功率 250 W

增益频宽积 4 MHz

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 16A

最小电流放大倍数hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJ21196
型号: MJ21196
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
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