MJ21194G和MJ21196

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ21194G MJ21196 MJ21196G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJ21194G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 75 hFE硅功率晶体管 Silicon Power Transistors硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-204-2

频率 4 MHz - 4 MHz

额定电压(DC) 250 V 250 V 250 V

额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 W 250 W 250 W

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 16A 16A 16A

最小电流放大倍数(hFE) 25 25 25 @8A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 75 - 75

额定功率(Max) 250 W - 250 W

直流电流增益(hFE) 75 - 25

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW - 250000 mW

增益频宽积 - 4 MHz -

针脚数 2 - -

热阻 0.7℃/W (RθJC) - -

宽度 26.67 mm 26.67 mm 26.67 mm

封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-204-2

长度 39.37 mm 39.37 mm -

高度 8.51 mm 8.51 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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