MJ21194和MJ21196

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ21194 MJ21196 MJ21196G

描述 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS硅功率晶体管 Silicon Power Transistors硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-204-2

引脚数 - - 2

额定电压(DC) 250 V 250 V 250 V

额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 W 250 W 250 W

增益频宽积 - 4 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 16A 16A 16A

最小电流放大倍数(hFE) 25 25 25 @8A, 5V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃

频率 - - 4 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 75

额定功率(Max) - - 250 W

直流电流增益(hFE) - - 25

耗散功率(Max) - - 250000 mW

长度 39.37 mm 39.37 mm -

宽度 26.67 mm 26.67 mm 26.67 mm

高度 8.51 mm 8.51 mm -

封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-204-2

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

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