MMDT4146-7

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MMDT4146-7概述

TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363

Bipolar BJT Transistor Array


得捷:
TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 25V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 25V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363


MMDT4146-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买MMDT4146-7
型号: MMDT4146-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
替代型号MMDT4146-7
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MMDT4146-7

Diodes 美台

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MMDT4146-7和MMDT4146-7-F的区别

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