STMICROELECTRONICS PD55003L-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD
射频 MOSFET ,STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
得捷:
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
STMICROELECTRONICS PD55003L-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 14-Pin Power Flat T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 2.5A 14-Pin Power Flat T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 14W; PowerFLAT™; SMT
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 14-Pin Power Flat T/R
DeviceMart:
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
频率 500 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 2.5 A
额定功率 14 W
针脚数 8
极性 N-Channel
耗散功率 14 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
输出功率 3 W
增益 19 dB
测试电流 50 mA
输入电容Ciss 34pF @12.5VVds
输出功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 14000 mW
额定电压 40 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SMD-8
长度 5 mm
宽度 5 mm
高度 0.88 mm
封装 SMD-8
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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