PD55003L-E

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PD55003L-E概述

STMICROELECTRONICS  PD55003L-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD

射频 MOSFET ,STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。


得捷:
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT


欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
STMICROELECTRONICS  PD55003L-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 14-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 2.5A 14-Pin Power Flat T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 14W; PowerFLAT™; SMT


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 14-Pin Power Flat T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT


PD55003L-E中文资料参数规格
技术参数

频率 500 MHz

额定电压DC 12.0 V

额定电流 2.5 A

额定功率 14 W

针脚数 8

极性 N-Channel

耗散功率 14 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

输出功率 3 W

增益 19 dB

测试电流 50 mA

输入电容Ciss 34pF @12.5VVds

输出功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 14000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SMD-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.88 mm

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

PD55003L-E引脚图与封装图
PD55003L-E引脚图
PD55003L-E封装图
PD55003L-E封装焊盘图
在线购买PD55003L-E
型号: PD55003L-E
描述:STMICROELECTRONICS  PD55003L-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD
替代型号PD55003L-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PD55003L-E

ST Microelectronics 意法半导体

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