PD55003-E和PD55003L-E

对比图

型号 PD55003-E PD55003L-E PD55003

描述 STMICROELECTRONICS  PD55003-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RFSTMICROELECTRONICS  PD55003L-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMDRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 14 3

封装 PowerSO-10RF SMD-8 PowerSO-10

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 12.0 V -

额定电流 2.5 A 2.5 A -

额定功率 - 14 W -

针脚数 3 8 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 31.7 W 14 W 31700 mW

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A 2.50 A

输出功率 3 W 3 W 3 W

增益 17 dB 19 dB 17 dB

测试电流 50 mA 50 mA 50 mA

输入电容(Ciss) 36pF @12.5V(Vds) 34pF @12.5V(Vds) 36pF @12.5V(Vds)

输出功率(Max) - 3 W -

工作温度(Max) 165 ℃ 150 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 31700 mW 14000 mW 31700 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V - 40.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 7.5 mm 5 mm -

宽度 9.4 mm 5 mm -

高度 3.5 mm 0.88 mm -

封装 PowerSO-10RF SMD-8 PowerSO-10

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR NLR -