对比图
型号 PD55003L-E PD55003S-E PD55003-E
描述 STMICROELECTRONICS PD55003L-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.STMICROELECTRONICS PD55003-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 14 3 3
封装 SMD-8 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz
额定电压(DC) 12.0 V 40.0 V 40.0 V
额定电流 2.5 A 2.5 A 2.5 A
额定功率 14 W - -
针脚数 8 - 3
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 14 W 31.7 W 31.7 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A 2.50 A
输出功率 3 W 3 W 3 W
增益 19 dB 17 dB 17 dB
测试电流 50 mA 50 mA 50 mA
输入电容(Ciss) 34pF @12.5V(Vds) 36pF @12.5V(Vds) 36pF @12.5V(Vds)
输出功率(Max) 3 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 14000 mW 31700 mW 31700 mW
额定电压 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 - - 40 V
长度 5 mm 7.5 mm 7.5 mm
宽度 5 mm 9.4 mm 9.4 mm
高度 0.88 mm 3.5 mm 3.5 mm
封装 SMD-8 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - NLR