PDTA115EMB,315参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA115EMB,315概述

DFN PNP 50V 20mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 20mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3

得捷:
NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 20mA Automotive 3-Pin DFN T/R

PDTA115EMB,315中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 180 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XFDFN-3

外形尺寸

高度 0.36 mm

封装 XFDFN-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： PDTA115EMB,315

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN PNP 50V 20mA