漏源极电阻 0.016 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 4.17 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 10.9 A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 950pF @10VVds
额定功率Max 4.17 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4170 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PHKD6N02LT,518 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6898A 飞兆/仙童 | 功能相似 | PHKD6N02LT,518和FDS6898A的区别 |
FDS9926A 飞兆/仙童 | 功能相似 | PHKD6N02LT,518和FDS9926A的区别 |
NTMD6N02R2G 安森美 | 功能相似 | PHKD6N02LT,518和NTMD6N02R2G的区别 |