FDS6898A和PHKD6N02LT,518

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6898A PHKD6N02LT,518 FDS6898A_NF40

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6898A.  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.4 A, 20 V, 14 mohm, 4.5 V, 1 V双 N 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsMOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 8 -

极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 9.40 A 10.9 A 9.4A

输入电容(Ciss) 1821pF @10V(Vds) 950pF @10V(Vds) 1821pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 4.17 W 900 mW

漏源极电阻 0.01 Ω 0.016 Ω -

耗散功率 2 W 4.17 W -

阈值电压 1 V 1.5 V -

上升时间 15 ns 49 ns -

下降时间 16 ns 23 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 4170 mW -

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 9.40 A - -

针脚数 8 - -

输入电容 1.82 nF - -

栅电荷 16.0 nC - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.45 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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