PBSS5350SS参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBSS5350SS中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2.7A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5350SS

型号： PBSS5350SS

制造商： NXP 恩智浦

描述：50 V ， 2.7 PNP / PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat BISS transistor

替代型号PBSS5350SS