对比图
型号 PBSS5350SS PBSS5350D,135 PBSS5350SS,115
描述 50 V ， 2.7 PNP / PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorPBSS5350D - 50 V，3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
封装 SO SOT-457 SOIC-8
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
极性 NPN+PNP PNP NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 2.7A 3A 2.7A
耗散功率 - 750 mW -
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @2A, 2V 180 @1A, 2V
额定功率(Max) - 750 mW 750 mW
耗散功率(Max) - 750 mW 830 mW
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
封装 SO SOT-457 SOIC-8
长度 - - 4.8 mm
宽度 - - 4.2 mm
高度 - - 5.2 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)