对比图
型号 PBSS5350SS PBSS5350D,115 PBSS5350SS,115
描述 50 V ， 2.7 PNP / PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorPBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6 3
封装 SO SC-74-6 SOIC-8
频率 - 100 MHz -
极性 NPN+PNP PNP NPN+PNP
耗散功率 - 600 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 2.7A 3A 2.7A
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @2A, 2V 180 @1A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - 200 @500mA, 2V -
额定功率(Max) - 750 mW 750 mW
直流电流增益(hFE) - 200 -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 750 mW 830 mW
高度 - 1 mm 5.2 mm
封装 SO SC-74-6 SOIC-8
长度 - - 4.8 mm
宽度 - - 4.2 mm
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
香港进出口证 - NLR -