PHP101NQ04T

PHP101NQ04T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 75.0 A

极性 N-CH

耗散功率 157 W

输入电容 2.02 nF

栅电荷 36.6 nC

漏源极电压Vds 40.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 51 ns

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHP101NQ04T
型号: PHP101NQ04T
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
替代型号PHP101NQ04T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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