PHP101NQ04T和PHP101NQ04T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP101NQ04T PHP101NQ04T,127 PSMN8R0-40PS

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailNXP  PSMN8R0-40PS  晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 40 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

耗散功率 157 W 157 W 86 W

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V

上升时间 51 ns 51 ns -

输入电容(Ciss) - 2020pF @25V(Vds) 1262pF @12V(Vds)

额定功率(Max) - 157 W -

下降时间 33 ns 33 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 157W (Tc) 86 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 6.2 mΩ

极性 N-CH - N-Channel

阈值电压 - - 3 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A - 77A

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

输入电容 2.02 nF - -

栅电荷 36.6 nC - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.3 mm - 10.3 mm

宽度 4.7 mm - 4.7 mm

高度 9.4 mm - 16 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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