N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - UMT-3
N-Channel 200 mW 60 V 2.4 Ohm Surface Mount Small Signal MosFet - UMT-3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
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N沟道 60V 200mA
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 200 mA, 2.4 ohm, UMT, 表面安装
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin UMT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
额定电压DC 60.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 3
漏源极电阻 2.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 15pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
封装 SOT-323
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RHU002N06T106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RJU002N06T106 罗姆半导体 | 功能相似 | RHU002N06T106和RJU002N06T106的区别 |
2N7002W-TP 美微科 | 功能相似 | RHU002N06T106和2N7002W-TP的区别 |
QN7002-T1B-AT 日本电气 | 功能相似 | RHU002N06T106和QN7002-T1B-AT的区别 |