对比图
型号 QN7002-T1B-AT RHU002N06T106 RJU002N06T106
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SC-59, MINI MOLD PACKAGE-3N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - UMT-3N-沟道 200 mW 60 V 3.1 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3
数据手册 ---
制造商 NEC (日本电气) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 - SOT-323 SOT-323-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V
额定电流 - 200 mA 200 mA
漏源极电阻 - 2.4 Ω 2.20 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 200 mW 200 mW
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) - 200 mA 200 mA
上升时间 - 8 ns 7 ns
输入电容(Ciss) - 15pF @10V(Vds) 18pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 200 mW 200 mW
下降时间 - 6 ns 7 ns
耗散功率(Max) - 200mW (Ta) 200mW (Ta)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 2.5 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
长度 - - 2 mm
宽度 - - 1.25 mm
高度 - - 0.8 mm
封装 - SOT-323 SOT-323-3
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99