2N7002W-TP和RHU002N06T106

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002W-TP RHU002N06T106 2N7002WT1G

描述 2N7002W 系列 60 V 115 mOhm N-沟道 增强型 晶体管 - SOT-323N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - UMT-3ON SEMICONDUCTOR  2N7002WT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323 SC-70-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 200 mA -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 2.4 Ω 1.6 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 200 mW 330 mW

阈值电压 - 2.5 V 1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 0.115A 200 mA 340 mA

上升时间 - 8 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 15pF @10V(Vds) 24.5pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 200 mW 280 mW

下降时间 - 6 ns 29 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 200mW (Ta) 200mW (Ta) 280 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 1 - 1

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 SOT-323-3 SOT-323 SC-70-3

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 0.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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