对比图
型号 NTD6415ANLT4G RSD200N10TL STD15NF10T4
描述 N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorCPT N-CH 100V 20ASTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 83 W 20W (Tc) 70 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 23A 20A 23.0 A
上升时间 91 ns 61 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1024pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 83 W 20 W 70 W
下降时间 71 ns 193 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83W (Tc) 20W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 23.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.044 Ω - 0.065 Ω
阈值电压 2 V - 3 V
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
输入电容 1024 pF - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.6 mm
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.38 mm - 2.4 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 NLR - -