ROHM RK7002T116 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V
The is a N-channel silicon MOSFET offers 30V drain source voltage and ±300mA continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.
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RK7002T116
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MOSFET N-CH 60V 115MA SST3
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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# ROHM RK7002T116 MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V
力源芯城:
60V,0.115A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
额定电压DC 60.0 V
额定电流 115 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 7.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
阈值电压 1.85 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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