RK7002T116

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RK7002T116概述

ROHM  RK7002T116  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V

The is a N-channel silicon MOSFET offers 30V drain source voltage and ±300mA continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.

.
Low ON-resistance
.
2.5V Low voltage drive

立创商城:
RK7002T116


得捷:
MOSFET N-CH 60V 115MA SST3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SST T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ROHM  RK7002T116  MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V


力源芯城:
60V,0.115A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23


RK7002T116中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 115 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 7.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

阈值电压 1.85 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 115 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买RK7002T116
型号: RK7002T116
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RK7002T116  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V
替代型号RK7002T116
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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