对比图
型号 2N7002-7-F RK7002T116 2N7002ET1G
描述 2N7002-7-F 编带ROHM RK7002T116 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 VON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 115 mA 115 mA -
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 13.5 Ω 7.5 Ω 0.86 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 mW 225 mW 420 mW
阈值电压 2.5 V 1.85 V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 70.0 V 60.0 V -
连续漏极电流(Ids) 115 mA 115 mA 310 mA
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 26.7pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 225 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 370mW (Ta) 225mW (Ta) 300 mW
无卤素状态 - - Halogen Free
输入电容 - - 26.7 pF
上升时间 3 ns - 1.2 ns
正向电压(Max) - - 1.2 V
下降时间 5.6 ns - 3.6 ns
额定功率 0.3 W - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.9 mm - 2.9 mm
宽度 1.3 mm - 1.3 mm
高度 1 mm - 0.94 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
军工级 Yes - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99