SQJ970EP-T1-GE3

SQJ970EP-T1-GE3图片1
SQJ970EP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 8 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SQJ970EP-T1-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQJ970EP-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 40 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V

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