Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3Pin3+Tab TO-3P Tube
IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-3P
得捷: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
安富利: Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin TO-3P Tube
耗散功率 469000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 469 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 469000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册