STGWT80V60F

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STGWT80V60F概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3Pin3+Tab TO-3P Tube

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-3P


得捷:
IGBT 600V 120A 469W TO-3P


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin TO-3P Tube


STGWT80V60F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 469000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 469 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 469000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGWT80V60F
型号: STGWT80V60F
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3Pin3+Tab TO-3P Tube

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