STGP10M65DF2

STGP10M65DF2图片1
STGP10M65DF2图片2
STGP10M65DF2图片3
STGP10M65DF2图片4
STGP10M65DF2图片5
STGP10M65DF2图片6
STGP10M65DF2图片7
STGP10M65DF2图片8
STGP10M65DF2图片9
STGP10M65DF2图片10
STGP10M65DF2图片11
STGP10M65DF2图片12
STGP10M65DF2概述

STMICROELECTRONICS  STGP10M65DF2  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

IGBT 分立,STMicroelectronics


得捷:
IGBT 650V 10A TO-220AB


欧时:
STMicroelectronics STGP10M65DF2 N沟道 IGBT, Vce=650 V, 20 A, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
STGP10M65DF2


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss


e络盟:
单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 3-Pin TO-220AB Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STGP10M65DF2  IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3


儒卓力:
**IGBT 650V 10A 1,55V TO220-3 **


STGP10M65DF2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 115 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 96 ns

额定功率Max 115 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGP10M65DF2
型号: STGP10M65DF2
描述:STMICROELECTRONICS  STGP10M65DF2  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司