











STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
得捷:
IGBT 650V 10A TO-220AB
欧时:
STMicroelectronics STGP10M65DF2 N沟道 IGBT, Vce=650 V, 20 A, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
STGP10M65DF2
贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
e络盟:
单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 3-Pin TO-220AB Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3
儒卓力:
**IGBT 650V 10A 1,55V TO220-3 **
针脚数 3
耗散功率 115 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 96 ns
额定功率Max 115 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99