STGF19NC60WD

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STGF19NC60WD概述

N沟道600V - 7A - TO- 220超高速的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 Ultra fast PowerMESH IGBT

Don"t be afraid to step up the amps in your device when using this IGBT transistor from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 32000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.

STGF19NC60WD中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 32000 mW

上升时间 7.00 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 32 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买STGF19NC60WD
型号: STGF19NC60WD
描述:N沟道600V - 7A - TO- 220超高速的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 Ultra fast PowerMESH IGBT

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