STGWA60V60DF

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STGWA60V60DF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 沟槽型场截止 600 V 80 A 375 W 通孔 TO-247 长引线


得捷:
IGBT BIPO 600V 60A TO247-3


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
IGBTs


Verical:
STGWA60V60DF


Win Source:
IGBT BIPO 600V 60A TO247-3 / IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 375 W Through Hole TO-247 Long Leads


STGWA60V60DF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 375000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 74 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGWA60V60DF
型号: STGWA60V60DF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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