对比图
型号 BSS84 SBSS84LT1G BSS84LT1
描述 增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。-50V,-130mA,10Ω,单P沟道功率MOSFET小信号P沟道SOT23封装场效应管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 1.2 Ω 4.7 Ω 10.0 Ω
极性 - P-CH P-Channel
耗散功率 0.36 W 0.225 W 225 mW
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
连续漏极电流(Ids) - 0.13A 130 mA
上升时间 6.3 ns 9.7 ns 1 ns
输入电容(Ciss) 73pF @25V(Vds) 36pF @5V(Vds) 30pF @5V(Vds)
下降时间 4.8 ns 1.7 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360 mW 225mW (Ta) 225mW (Ta)
额定电压(DC) - - -50.0 V
额定电流 - - -130 mA
输入电容 - - 30.0 pF
漏源击穿电压 - - 50.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
阈值电压 1.7 V - -
额定功率(Max) 360 mW - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.92 mm - 2.9 mm
宽度 1.3 mm - 1.3 mm
高度 0.93 mm - 0.94 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 EAR99