NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
立创商城:
Dual NPN Bipolar Digital Transistor BRT
欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 187 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99