SMUN5214DW1T1G

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SMUN5214DW1T1G概述

NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363


立创商城:
Dual NPN Bipolar Digital Transistor BRT


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


SMUN5214DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 187 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SMUN5214DW1T1G
型号: SMUN5214DW1T1G
描述:NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

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