双PNP偏置电阻晶体管R1 = 10千欧， R2 = 47 K· Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 10 k, R2 = 47 k
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
立创商城:
SMUN5114DW1T1G
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 SMUN5114DW1T1G
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
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无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 187 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
封装 TSSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SMUN5114DW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
DDA114YU-7 美台 | 功能相似 | SMUN5114DW1T1G和DDA114YU-7的区别 |