STB11NM60-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB11NM60-1概述

N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

通孔 N 通道 650 V 11A（Tc） 160W（Tc） I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK

贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

富昌:
STB11NM60 系列 650 V 0.45 Ohm 160 W N 沟道功率 MOSFET - I2PAK-3

Win Source:
N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmeshPower MOSFET

STB11NM60-1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 11.0 A

漏源极电阻 450 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

输入电容 1.00 nF

栅电荷 30.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.95 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB11NM60-1

型号： STB11NM60-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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