对比图
型号 STB11NM60-1 STI13NM60N FQI7N60TU
描述 N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STI13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 VN沟道MOSFET QFET® 800 V， 3.9 A， 3.6 I© N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 11.0 A - 7.40 A
漏源极电阻 450 mΩ 0.28 Ω 1.00 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 90 W 3.13 W
输入电容 1.00 nF - -
栅电荷 30.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A 7.40 A
上升时间 20 ns 8 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds) 1430pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 90 W 3.13 W
下降时间 11 ns 10 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 90W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
长度 10 mm 10.4 mm -
宽度 4.4 mm 4.6 mm -
高度 8.95 mm 10.75 mm -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
香港进出口证 - NLR -
ECCN代码 - - EAR99