STB10NK60Z-1和STB11NM60-1

对比图

型号 STB10NK60Z-1 STB11NM60-1 STB13NK60Z-1

描述 N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFETN沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFETN沟道600V - 0.48ヘ-13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-262-3 TO-262-3 I2PAK

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 10.0 A 11.0 A -

漏源极电阻 750 mΩ 450 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 115 W 160 W -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 11.0 A 13A

上升时间 20 ns 20 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) 2030pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns 11 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 160W (Tc) 150000 mW

输入电容 - 1.00 nF -

栅电荷 - 30.0 nC -

额定功率(Max) - 160 W -

长度 10 mm 10 mm -

宽度 4.4 mm 4.4 mm -

高度 8.95 mm 8.95 mm -

封装 TO-262-3 TO-262-3 I2PAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -