对比图
型号 STB15NM60ND STI15NM60ND STB15NM60N
描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 125 W 125W (Tc) 125 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 14A 14A -
输入电容(Ciss) 1250pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds)
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)
上升时间 20 ns - 14 ns
下降时间 28 ns - 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
通道数 1 - -
漏源极电阻 0.27 Ω - -
阈值电压 4 V - -
漏源击穿电压 600 V - -
额定功率(Max) 125 W - -
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
长度 10.75 mm - 10.4 mm
宽度 10.4 mm - 9.35 mm
高度 4.6 mm - 4.6 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -