






N沟道900V - 0.21ohm - 26A MAX247齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET
N-Channel 900V 26A Tc 450W Tc Through Hole MAX247™
得捷:
MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 26A 3-Pin3+Tab Max247 Tube
Win Source:
N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET
额定电压DC 900 V
额定电流 26.0 A
漏源极电阻 210 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 450W Tc
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 59 ns
输入电容Ciss 12000pF @25VVds
额定功率Max 450 W
下降时间 72 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 450W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STY30NK90Z ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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