SI9926ADY

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SI9926ADY中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 40.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 4.80 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI9926ADY
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:双N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET

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