STP8NM60参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP8NM60概述

N沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET

通孔 N 通道 8A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Newark:
Power MOSFET, N Channel, 8 A, 600 V, 900 mohm, 30 V, 4 V

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 8A TO-220

STP8NM60中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 8.00 A

漏源极电阻 900 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 4 V

输入电容 400 pF

栅电荷 18.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 10.0 ns

输入电容Ciss 400pF @25VVds

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP8NM60

型号： STP8NM60

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET

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