SP8M5FU6TB参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SP8M5FU6TB图片1

SP8M5FU6TB图片2

SP8M5FU6TB图片3

SP8M5FU6TB图片4

SP8M5FU6TB图片5

SP8M5FU6TB图片6

SP8M5FU6TB概述

SOP N+P 30V 6A/7A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6A，7A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

SP8M5FU6TB中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6A/7A

输入电容Ciss 520pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SP8M5FU6TB

型号： SP8M5FU6TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOP N+P 30V 6A/7A