STB70N10F4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB70N10F4概述

N沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Î©, 60 A, STripFETâ¢ DeepGATEâ¢ Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK

N-Channel 100V 65A Tc 150W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 65A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

STB70N10F4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 5800pF @25VVds

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB70N10F4

型号： STB70N10F4

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Î©, 60 A, STripFETâ¢ DeepGATEâ¢ Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK

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