STI21NM60ND

STI21NM60ND图片1
STI21NM60ND概述

N沟道600 V , 0.17ヘ, 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK , I2PAK , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

通孔 N 通道 17A(Tc) 140W(Tc) I2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


STI21NM60ND中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 140W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI21NM60ND
型号: STI21NM60ND
描述:N沟道600 V , 0.17ヘ, 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK , I2PAK , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
替代型号STI21NM60ND
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