对比图
型号 STB21NM60ND STI21NM60ND STB21NM60N
描述 STMICROELECTRONICS STB21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VN沟道600 V ， 0.17ヘ， 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.17 Ω - 190 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 140 W 140W (Tc) 140W (Tc)
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 16 ns - 15 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 1900pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 140 W - 140 W
下降时间 48 ns - 31 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 17.0 A
输入电容 - - 1.95 nF
栅电荷 - - 66.6 nC
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 17.0 A
长度 10.75 mm - -
宽度 10.4 mm - -
高度 4.6 mm - -
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -