对比图
型号 STI21NM60ND STW24NM60N STB21NM60ND
描述 N沟道600 V ， 0.17ヘ， 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247STMICROELECTRONICS STW24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
耗散功率 140W (Tc) 125 W 140 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds)
耗散功率(Max) 140W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc)
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.168 Ω 0.17 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 3 V 4 V
上升时间 - 16.5 ns 16 ns
额定功率(Max) - 125 W 140 W
下降时间 - 37 ns 48 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-263-3
长度 - 15.75 mm 10.75 mm
宽度 - 5.15 mm 10.4 mm
高度 - 20.15 mm 4.6 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99