STB21NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB21NM60N概述

N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

N-Channel 600V 17A Tc 140W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

STB21NM60N中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 17.0 A

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 140W Tc

输入电容 1.95 nF

栅电荷 66.6 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

STB21NM60N引脚图与封装图

在线购买STB21NM60N

型号： STB21NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

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