对比图
型号 STB21NM60N STW24NM60N STI21NM60ND
描述 N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFETSTMICROELECTRONICS STW24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VN沟道600 V ， 0.17ヘ， 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-262-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 17.0 A - -
漏源极电阻 190 mΩ 0.168 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 140W (Tc) 125 W 140W (Tc)
输入电容 1.95 nF - -
栅电荷 66.6 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
栅源击穿电压 ±25.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 17.0 A - -
上升时间 15 ns 16.5 ns -
输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 125 W -
下降时间 31 ns 37 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 140W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-262-3
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -