SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
通孔 P 通道 60 V 9.7A（Tc） 42W（Tc） P-TO251-3-1
得捷:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO251-3
贸泽:
MOSFET P-Ch -60V -9.7A IPAK-3
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A 3-Pin3+Tab TO-251
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -9.70 A
通道数 1
漏源极电阻 400 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 9.70 A
上升时间 168 ns
输入电容Ciss 450pF @25VVds
下降时间 89 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPU09P06PL Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD09P06PL 英飞凌 | 功能相似 | SPU09P06PL和SPD09P06PL的区别 |
SPD09P06PLG 英飞凌 | 功能相似 | SPU09P06PL和SPD09P06PLG的区别 |
RFD8P06LE 英特矽尔 | 功能相似 | SPU09P06PL和RFD8P06LE的区别 |